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파나소닉-UMC, 40나노 기반 저항성 메모리 대량 생산 협력

  • 등록 2017.02.03 10:39:46
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[헬로티]

파나소닉 반도체 솔루션(PSCS)과 대만 반도체 파운드리 업업체인 UMC(United Microelectronics)가 40나노미터 공정에 기반한 저항성 메모리 반도체(ReRAM: Resistive Random Access Memory) 대량 생산 프로세스 플랫폼 개발을 위해 손을 잡았다.


대만 매체 디지타임스 등이 2일(현지시간) 관련 내용을 보도했다.


저항성 메모리는 요즘 널리 쓰이는 플래시 메모리처럼 비활성 메모리의 일종이다. 간단한 구조에 고속 프로세싱이 가능하고 전략 소모량이 적은게 특징이다.


PSCS는 2013년부터 180나노 공정을 사용해 저항성 메모리를 대량 생산해왔다. 저전력을 요구하는 애플리케이션용 8비트 마이크로컴퓨터인 'MN101LR' 시리즈를 공급하고 있다.


PSCS는 40나노 공정을 활용해 저항성 메모리 신뢰성을 테스트하고 검증하는 것은 이번이 처음이라고 강조했다.


양사 협력은 PSCS가 보유한 40나노 저항성 메모리 프로세스 기술과 UMC가 제공하는 고신뢰성 기반 CMOS 프로세스 기술을 통합해 저항성 메모리용 프로세스 플랫폼을 개발하는 것이 골자다.


PSCS는  40나노 공정을 사용해 생산한 저항성 반도체 샘플을 2018년께 출하할 계획이다.


PSCS와 UMC는 공동 개발한 저항성 메모리용 프로세스 플랫폼을 다른 반도체 제조사 및 공급 업체들에게도 제공하기로 했다.


/황치규 기자(delight@hellot.net)







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