오토메이션월드-대한민국 1등 산업매거진 '자동화기술'

일반뉴스 "대만 TSMC, 2019년 임베디드 ReRAM 선보일 것"

[첨단 헬로티] 대만 반도체 파운드리 회사인 TSMC가 2018년 시스템온칩(SoC)용 비휘발성 옵션으로 임베디드 MRAM(eMRAM)을 제공한다. 2019년에는 임베디드 저항성 램( embedded resistive RAM: eReRAM)도 공급할 것이라고 중국어 매체인 이코노믹 데일리 뉴스가 보도했다. 두 기술 모두 22나노미터 핀펫(FinFET) 제조 공정을 기반으로 생산될 것이라고 EDN은 전했다. TSMC는 이미 eMRAM을 제공하고 있는 삼성전자, 글로벌 파운드리를 추격하는 입장이다. 삼성전자와 글로벌 파운드리는 각각 28나노미터 CMOS와 22나노미터 FDSOI 공정에 기반해 eMRAM을 공급하고 있는데, TSMC는 2019년 eReRAM을 앞세워 역전을 노리는 모습이다. 삼성전자와 글로벌 파운드리는 아직까지 eReRAM으로 넘어가기 위한 움직임은 보여주지 않고 있다. TSMC는 22ㄴ노미터 제조 공정을 사용해 2018년 eMRAM칩에 대한 위험생산(Risk Production)을 시작하고 2019년에는 eReRAM으로 확대할 것이라고 EDN이 TSMC CTO의 발언을 인용해 전했다.

황치규 기자

2017-06-20 16:24

인터뷰 박병국 교수 “차세대 자성메모리(MRAM) 상용화 앞장서겠다"...차세대 자성메모리 핵심 소재 개발

[헬로티] 국내 대학 연구진이 차세대 자성메모리(MRAM)의 속도 및 집적도를 동시에 향상시키는 소재기술 개발에 성공했다. 이 사업은 미래소재디스커버리사업의 스핀궤도소재연구단(단장 고려대 김영근)의 지원을 받아 박병국 교수(한국과학기술원)와 이경진 교수(고려대) 공동연구팀에서 연구를 수행했다. 국내 반도체 산업은 DRAM, Flash 등 메모리 반도체에서 지속적으로 세계 시장을 선도해 오고 있다. 그러나 최근 중국의 대규모 메모리 반도체 투자에 따른 위협이 가시화되고 있다. 차세대 자성메모리(MRAM)의 속도 및 집적도를 동시에 향상시키는 소재기술 개발에 성공하면서 원천기술 선점과 특허 확보를 통해, 메모리 산업의 주도권 강화와 더불어 비메모리 논리소자 부분의 시장을 확장하는데 일조할 수 있을 것으로 기대된다. 공동연구팀을 이끈 한국과학기술원 박병국 교수와 인터뷰를 진행했다. ▲ 카이스트 박병국 교수 Q. 이번 연구를 시작한 계기나 배경은. A. 현재 사용되는 반도체 구조에서는 논리소자와 메모리소자가 공간적으로 단절돼 있기 때문에 소자 간의 긴 신호 지연이 불가피하다. 또한 비휘발성 메모리인 SRAM의 사용은 정보 유지를 위한 지속적인 전력 공급으로 인해 높

2016-09-30 18:05

일반뉴스 국내 연구진, 기존 메모리 보다 10배 빠른 차세대 메모리 핵심 소재 개발

[헬로티] 국내 대학 연구진이 차세대 자성 메모리(MRAM)의 속도 및 집적도를 동시에 향상시키는 소재기술 개발에 성공했다. 박병국 교수(한국과학기술원)와 이경진 교수(고려대) 공동연구팀의 연구 결과는 나노기술 분야의 최고 권위의 학술지인 네이쳐 나노 테크놀러지(Nature Nanotechnology) 최근호에 게재됐다. 자성메모리(MRAM)는 실리콘을 기반으로 한 기존 반도체 메모리와 달리 얇은 자성 박막으로 만들어진 새로운 비휘발성 메모리 소자로서 외부 전원 공급이 없는 상태에서 정보를 유지할 수 있으며 고속 동작과 집적도를 높일 수 있다. 이러한 특성 때문에 메모리 패러다임을 바꿀 새로운 기술로 전세계 여러 반도체 업체에서 개발 경쟁을 벌이고 있는 차세대 메모리다. 개발 경쟁의 대상이 되는 핵심 기술 중 하나는 메모리 동작 속도를 더 높이면서도 고집적도를 동시에 구현 하는 기술이다. 현재까지 개발된 자성메모리(MRAM) 기술에 의하면 동작 속도를 최고치로 유지하는 경우 집적도가 현저히 떨어지는 문제가 있었다. 그림. 스핀궤도토크(SOT) 기반 자성메모리(MRAM)의 개략도. 반강자성(IrMn)/강자성(CoFeB) 계면에 존재하는 교환결합을 이용하여 외부

2016-08-02 23:52