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"대만 TSMC, 2019년 임베디드 ReRAM 선보일 것"

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대만 반도체 파운드리 회사인 TSMC가 2018년 시스템온칩(SoC)용 비휘발성 옵션으로 임베디드 MRAM(eMRAM)을 제공한다. 2019년에는 임베디드 저항성 램( embedded resistive RAM: eReRAM)도 공급할 것이라고 중국어 매체인 이코노믹 데일리 뉴스가 보도했다.


두 기술 모두 22나노미터 핀펫(FinFET) 제조 공정을 기반으로 생산될 것이라고 EDN은 전했다.


TSMC는 이미 eMRAM을 제공하고 있는 삼성전자, 글로벌 파운드리를 추격하는 입장이다. 


삼성전자와 글로벌 파운드리는 각각 28나노미터 CMOS와 22나노미터 FDSOI 공정에 기반해 eMRAM을 공급하고 있는데, TSMC는 2019년 eReRAM을 앞세워 역전을 노리는 모습이다.


삼성전자와 글로벌 파운드리는 아직까지 eReRAM으로 넘어가기 위한 움직임은 보여주지 않고 있다.


TSMC는 22ㄴ노미터 제조 공정을 사용해 2018년 eMRAM칩에 대한 위험생산(Risk Production)을 시작하고 2019년에는 eReRAM으로 확대할 것이라고 EDN이 TSMC CTO의 발언을 인용해 전했다.







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