[헬로티] 온세미컨덕터가 2021년 실리콘 카바이드(SiC) 시장 전망을 공개했다. ▲출처 : 온세미컨덕터 WBG 기술이 기존의 전력 전자 애플리케이션은 물론 새롭게 등장하는 애플리케이션에까지 널리 적용되면서, 반도체 업체는 전례 없는 속도로 신제품을 개발해 내고 있다. 최근 온세미컨덕터는 650V SiC MOSFET를 출시하며 자사의 WBG 디바이스 제품군을 확대했다. 이를 통해 이전에는 서비스가 부족했던 전력대역에서 보다 향상된 효율성을 제공하고 있다고 밝혔다. 온세미컨덕터 제품 라인 담당 매니저 브랜드 베커(Brandon Becker)는 2021년에 SiC와 GaN이 계속해서 확대 적용될 것으로 봤다. 기존 실리콘 기반 디바이스보다 더 높은 효율성과 전력 밀도를 요구하는 애플리케이션에서 SiC와 GaN 같은 WBG 디바이스가 비용을 줄이는 차원에서 효율적이기 때문이다. 또한 4G LTE 대비 20배 빠른 속도를 제공하는 5G는 그만큼 열효율과 전력 효율에 최적화된 디바이스가 필요한데, SiC MOSFET은 5G 사용에 적합하다고 전했다. SiC가 까다로운 환경에서 사용하기에 적합하기 때문이다. 현재 해당 분야의 애플리케이션 수요는 크게 증가하고 있으며,
[헬로티] 온세미컨덕터는 전력 밀도, 효율성, 신뢰성이 요구되는 까다로운 애플리케이션을 위한 새로운 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 디바이스를 공개했다고 밝혔다. ▲출처 : 온세미컨덕터 설계자들은 기존 실리콘 스위칭 기술을 새로운 SiC 디바이스로 대체함으로써, 전기차 온보드 충전기(OBC), 태양광 인버터, 서버 전원공급장치(PSU), 통신, 무선 전원공급장치(UPS) 등의 애플리케이션에서 더 나은 성능을 제공할 수 있다. 자동차용 AECQ101과산업용 품질 표준 만족하는 온세미컨덕터의 새로운 650V SiC MOSFET은 실리콘보다 우수한 스위칭 성능과 개선된 열특성을 제공하는 새로운 와이드밴드갭(WBG) 소재를 기반으로 하고 있다. 온세미컨덕터는 이를 통해 시스템 레벨에서 효율성을 높이고, 전력 밀도를 향상하며, 전자파(EMI)를 낮추고, 시스템 크기 및 중량도 줄일 수 있게 됐다고 전했다. 차세대 SiC MOSFET은 650V 내압에서 업계 최고의 Rsp(Rdson x 넓이)를 구현할 수 있는 첨단 박형 웨이퍼 기술을 활용한 새로운 활성 셀 설계법을 채택했다. D2PAK7L 및 To247 패키지로 제공되는 NVBG015N065SC1, NTBG015
[헬로티] 로옴(ROHM)은 메인 인버터를 비롯한 자동차 파워 트레인 시스템 및 산업기기용 전원에 최적인 1200V 제4세대 SiC MOSFET를 개발했다. 최근 차세대 전동차 (xEV)의 보급 확대를 위해, 한층 더 고효율로 소형 · 경량화된 전동 시스템의 개발이 추진되고 있다. 특히, 구동의 중심이 되는 메인 인버터 시스템의 소형 · 고효율화가 과제로서 중요시됨에 따라, 파워 디바이스에도 한층 더 진화가 요구되고 있다. 또한, 전기자동차 (EV)에 있어서는 항속 거리가 짧다는 단점을 개선하기 위해, 탑재 배터리의 용량이 증가하는 경향이 있다. 이에 따라, 충전 시간의 단축이 요구되어, 배터리의 고내압화 (800V)가 추진되고 있다. 이러한 과제를 해결하기 위해, 고내압 및 저손실을 실현할 수 있는 SiC 파워 디바이스가 큰 기대를 모으고 있다. 이러한 상황에서 로옴은 2010년에 SiC MOSFET의 양산을 개시했다. 또한, 일찍이 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거하는 제품 라인업을 강화하여, 차량용 충전기 (On Board Charger : OBC) 등에서 높은 시장 점유율을 획득했다. 이번에 ON 저항과 단락 내량
[첨단 헬로티] 로옴(ROHM)은 대전력을 취급하는 범용 인버터 및 AC 서보, 산업용 에어컨, 가로등 등의 산업기기용으로, 1700V 내압 SiC MOSFET 내장 AC/DC 컨버터 IC BM2SCQ12xT-LBZ를 개발했다고 12일 밝혔다. BM2SCQ12xT-LBZ는 AC/DC 컨버터 IC로서 에너지 절약 성능이 높은 SiC MOSFET을 내장해 디스크리트 부품으로 구성할 경우의 설계 과제를 해결함으로써, 저전력 AC/DC 컨버터를 간단하게 개발할 수 있는 제품이다. 로옴은 이번 신제품에 대해 "산업기기에는 메인 전원 회로와 더불어, 각종 제어 시스템에 전원전압을 공급하는 보조 전원이 내장돼 있는데 이러한 보조 전원에는 내압이 낮은 Si-MOSFET 및 손실이 큰 IGBT가 널리 채용돼 저전력화에 과제로 지적돼 왔다"고 말했다. 이어, “오늘 발표한 신제품은 산업기기의 보조 전원용으로 최적화된 제어 회로와 SiC MOSFET의 1패키지화를 통해 일반품 구성 대비 대폭적인 부품수 삭감(12개 부품과 방열판을 1개의 부품으로 삭감)과 부품 고장 리스크 저감, SiC MOSFET 채용에 대한 개발 공수 삭감 등을 동시에 실현했다”고 소개