일반뉴스 EPC, 무선 전력 전송을 위한 eGaN 전력 IC 출시

EPC(Efficient Power Conversion)는 최근 부트스트랩 FET를 통합한 EPC2107(100V) 및 EPC2108(60V) eGaN® 하프 브리지 전력 IC를 출시했다. 이 디바이스는 유도 역 회복 손실을 위한 게이트 드라이브는 물론, 하이 사이드 클램프 요건을 제거할 수 있다. 부트스트랩 FET가 eGaN 전력 회로에 통합된 것은 이번이 처음이다. 공진형 무선 전력 전송 애플리케이션을 위해 특별히 설계된 이 제품은 고효율 엔드-유저 시스템을 신속하게 디자인할 수 있으며, 무선 전력 전송 애플리케이션의 확산에 기여할 것으로 기대된다. 또한 이러한 GaN 전력 IC는 매우 작은 칩 스케일 패키지로 제공되기 때문에 전반적인 시스템 사이즈를 줄이는 데 도움이 된다. 새로운 제품군은 3개의 FET 대신 하나의 GaN 디바이스를 사용할 수 있어 전반적인 컴포넌트 수를 줄임으로써 비용 절감에도 기여할 수 있다. 무선 전력 전송 분야에는 여러 표준들이 존재하기는 하지만, A4WP 표준인 리젠스(RezenceTM)는 탁월한 기능과 성능을 최종 소비자들에게 제공한다. 예를 들어, 리젠스는 충전할 때 기기를 정확한 위치에 둘 필요가 없기 때문에 충

• 2015-07-31 13:25