일반뉴스 램리서치, 3D NAND 스케일링용 포트폴리오에 글로벌 웨이퍼 스트레스 관리 솔루션 추가

[첨단 헬로티] 반도체 업계에 혁신적인 웨이퍼 제조 장비 및 서비스를 공급하는 램리서치(Lam Research)는 인공지능과 머신러닝 부문에서 칩 메모리 밀도를 높이는 데 필요한 새로운 솔루션을 추가했다. 이 후면 증착용 VECTOR® DT와 후면 및 베벨의 박막(film) 제거용 EOS® GS 습식 식각의 도입을 통해 램리서치는 글로벌 웨이퍼 스트레스 관리 제품 포트폴리오를 확장했다. 고종횡비(HAR, high-aspect-ratio) 증착과 식각이 3D NAND 스케일링의 핵심 기술인 한편, 적층 박막의 스트레스 누적에 따른 웨이퍼 보우(wafer bow)를 제어하면서 증착 층 수를 늘리는 것이 큰 과제가 되어왔다. 이러한 스트레스에 의한 웨이퍼 변형(distortion)은 리소그래피 초점심도(depth-of-focus) 저하, 오버레이 성능 저하, 구조적 변형을 일으켜 웨이퍼 수율에 큰 영향을 미친다. 전체 수율을 개선하려면, 전체 제조 공정 흐름의 여러 단계에서 웨이퍼, 다이, 피처 수준의 스트레스를 꼼꼼히 관리해야 한다. 어떤 경우에는 성능을 강화할 수 있는 공정이 스트레스 특성 때문에 배제되는 경우도 있다. 3D NAND 제조에서 웨

• 김원정 기자
• 2019-08-13 11:58