일반뉴스 ST마이크로일렉트로닉스-레티, 전력 변환용 GaN-온-실리콘 기술 개발

[첨단 헬로티] 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 프랑스 원자력청(CEA) 산하 전자정보기술연구소 레티(이하 CEA-Leti)와 파워 스위칭 디바이스용 GaN(Gallium Nitride)-on-Silicon 기술의 상용화를 위해 협력한다고 발표했다. 이 파워 GaN-on-Si 기술을 통해 ST는 하이브리드 및 전기 자동차를 위한 온-보드 충전기, 무선 충전, 서버를 비롯해 고효율, 고전력 애플리케이션을 지원할 수 있게 된다. 이번 양사의 협업은 200mm 웨이퍼 상에서 첨단 GaN-on-Si 다이오드와 트랜지스터 구조를 개발하고 검증하는 데 중점을 둔다. 시장조사업체 IHS 마킷(IHS Markit)은 이 시장이 2019년부터 2024년까지 CAGR(연평균 성장률)이 20%를 넘을 것으로 예상하고 있다. ST는 레티와 함께 IRT 나노일렉의 프레임워크 내에서 레티의 200mm R&D 라인을 이용해 공정 기술을 개발하고, 2019년에 엔지니어링 샘플을 검증할 계획이다. 이와 동시에 ST는 2020년 프랑스 투르(Tours)에 위치한 전공정 웨이퍼 팹(Front-End Wafer Fab)에서 초도 생산

• 이나리 기자
• 2018-10-15 14:14