오토메이션월드-대한민국 1등 산업매거진 '자동화기술'

산업동향 D램 가격 상승세 1년만에 꺾여...D램 고정거래가격 이달 최대 9% 하락

헬로티 김진희 기자 | 올해 초부터 상승세를 보여온 메모리반도체 D램 고정거래가격이 이달에만 10% 가까이 하락한 것으로 나타났다. 29일 대만의 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb)의 10월 고정거래가격은 지난달보다 0.39달러 하락한 3.71달러를 기록했다. 전 분기 대비 9.51% 떨어진 가격이다. 이 제품은 올해 1월 5％ 상승을 시작으로 4월 26.67％, 7월 7.89％ 오르며 올해 내내 상승세를 보였다. 가격이 하락한 것은 지난해 10월(-8.95%) 이후 1년 만이다. 트렌드포스는 "PC 제조사들의 D램 재고 수준이 높아지면서 수요가 약해진 상황"이라며 "내년 중반까지 가격 내림세가 이어질 것으로 보인다"고 분석했다. 클라우드 업체들이 주로 구매하는 서버용 D램 주요 제품(32GB RDimm) 고정거래 가격은 제품에 따라 최대 4.38%까지 하락했다. 트렌드포스는 4분기 평균 거래가격이 직전 분기 대비 3~8%가량 하락할 것으로 전망하고, 내년 1분기에는 10% 이상으로 가격이 내려갈 것으로 내다봤다. D램과 함께 대표적인 메모리 반도체인 낸드플래시는 이달에 가격 변동이 없었다. 메모리카드·USB향 낸드플래시
- 김진희 기자
- 2021-10-30 19:49
일반뉴스 삼성전자·SK하이닉스, “비욘드 메모리 혁신 필요한 때”

헬로티 서재창 기자 | 삼성전자와 SK하이닉스는 코로나19를 계기로 디지털 대전환을 맞은 시대에 차세대 메모리 반도체의 화두로 사회적 가치와 생태계 전체와 협력하는 개방형 혁신을 제시했다. 이석희 SK하이닉스 사장과 한진만 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장·부사장은 15일 세계반도체연합(GSA)가 개최한 '2021 GSA 메모리 플러스 온라인 컨퍼런스' 기조연설에서 메모리 반도체가 직면한 도전과 새로운 역할에 대해 발표했다. 이석희 사장은 메모리 반도체가 기존 전통적인 스케일링(Scaling·미세 공정) 가치 외에 소셜(Social)과 스마트(Smart)로까지 가치가 확장하고 있다고 강조했다. 반도체 업체들이 기존에 주력해온 본연의 가치인 칩 크기 축소뿐 아니라 환경 등 사회적 가치, AI 등 차세대 기술과 연결된 혁신적인 메모리 솔루션까지 갖춰야 이전과는 다른 '비욘드 메모리' 혁신을 주도한다는 설명이다. 이 사장은 "이러한 혁신을 위해서는 반도체 생태계 전체의 협력이 필요하다"며, "협력 기반의 동반자적 관계로 전환해 고객과 시장에 새로운 가치와 기회를 제공해야 한다"고 덧붙였다. SK하이닉스는 최근 극자외선(EUV) 미세공정이 처음 적용된 10나노급
- 서재창 기자
- 2021-07-16 09:29
산업동향 “3분기 낸드 강세, D램은 주춤” 메모리 반도체 엇갈린 전망나와

헬로티 김진희 기자 | 3분기 D램과 낸드 가격이 상승세를 보이겠지만 상승폭은 서로 엇갈릴 것으로 예측되고 있다. 낸드플래시는 2분기 수준의 가격 상승세가 예상되지만 D램은 가격 상승세가 주춤해질 것이라는 관측이 나왔다. 대만의 시장조사업체 트렌드포스는 올해 3분기 낸드플래시 가격이 2분기 대비 5∼10% 상승할 것으로 예상된다고 15일 밝혔다. 이는 지난 2분기의 평균 상승률과 같은 수준이다. 트렌드포스는 코로나19 영향으로 메모리 카드와 USB 드라이브 판매가 감소했지만 노트북 수요와 인텔의 아이스레이크(IceLake) 기반의 새로운 CPU 출시 등으로 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 수요가 늘면서 가격은 상승세를 유지할 것으로 예상했다. 특히 서버에 들어가는 기업용 SSD는 수요 증가로 평균 계약 가격이 2분기 최대 5% 상승에서 3분기에는 최대 15%가 오를 것으로 내다봤다. 트렌드포스는 "낸드플래시 생산에서 내부 부품 점유율이 높은 삼성전자는 SSD 공급에서 유연성을 갖고 있다"며 "삼성전자가 3분기 기업용 SSD 계약 가격협상에서 우위를 점하게 됐다"고 말했다. 그러나 트렌드포스 조사 기준으로 올해 2분기 18∼23% 오른 D램 가격은 3분기에
- 김진희 기자
- 2021-07-15 16:34
일반뉴스 SK하이닉스, 신제품 SSD 양산으로 낸드 기반 기업용 라인업 완전 구축

[헬로티] SK하이닉스는 데이터센터에 사용되는 기업용 SSD 제품인 ‘PE8110 E1.S’의 양산을 시작했다고 15일 발표했다. ▲기업용 SSD PE8110 E1.S 회사는 지난 3월 말 제품에 대한 내부 인증을 완료했고 5월 중 주요 고객에 제공할 예정이다. 앞서 SK하이닉스는 2019년 6월 세계 최초로 128단 4D 낸드 개발을 성공한 바 있다. 이후 회사는 128단 낸드 기반의 기업용 SSD 제품 세 가지(SATA SE5110, PCIe Gen3 PE8111 E1.L, PE8110 M.2)를 개발해 양산해왔다. 이어 이번 PE8110 E1.S의 양산을 통해 회사는 이 분야 제품군의 ‘완전한 라인업’을 구축하게 됐다고 설명했다. 완전한 라인업이란 128단 4D 낸드 기반의 기업용 SSD 제품 중 SATA 및 PCIe(E1.L, M.2, E1.S)의 폼팩터를 모두 갖춘 것을 의미한다. PE8110 E1.S는 이전 세대 96단 낸드 기반 제품인 PE6110 대비 읽기 속도는 최대 88%, 쓰기 속도는 최대 83% 향상된 제품이다. 이는 4GB 용량의 풀 HD급 영화 한 편을 1초 만에 저장하는 수준이다. 또한,
- 서재창 기자
- 2021-04-15 09:57
일반뉴스 키옥시아-웨스턴디지털, 역대 최고 밀도 달성한 ‘6세대 3D 플래시 메모리’ 기술 발표

[헬로티] 키옥시아와 웨스턴디지털은 양사가 6세대 162단 3D 플래시 메모리 기술을 개발했다고 발표했다. ▲게티이미지뱅크 20년간 파트너십을 이어온 키옥시아와 웨스턴디지털은 폭넓은 기술 및 제조 혁신을 바탕으로 최신 3D 플래시 메모리 기술을 개발, 양사의 역대 최고 밀도를 달성하게 됐다. 이번에 발표된 6세대 3D 플래시 메모리는 기존 8스태거(eight-stagger) 구조의 메모리 홀 어레이를 능가하는 고도화된 아키텍처와 5세대 대비 10% 증가한 측면 셀 어레이 밀도를 특징으로 한다. 이런 측면 미세화의 발전은 162단 수직 적층 메모리와 결합해, 112단 적층 기술 대비 40% 감소된 다이(die) 크기와 이를 통한 비용 최적화를 지원한다. 키옥시아와 웨스턴디지털은 6세대 3D 플래시 메모리에 ‘서킷 언더 어레이(Circuit Under Array)’ CMOS 배치와 ‘4플레인(four-plane)’ 방식을 함께 적용해 이전 세대 대비 2.4배가량 향상된 프로그램 성능과 10%의 읽기 지연 시간(read latency) 개선을 달성했다. 입출력(I/O) 성능 또한 66% 향상돼, 한층 빠른 전송 속도에 대
- 함수미 기자
- 2021-02-24 14:38
일반뉴스 램리서치, 차세대 유전체 식각 신기술로 NAND 및 D램 성능 개선 나서

[헬로티] Vantex의 새로운 기술 혁신과 Equipment Intelligence로 고종횡비(high aspect ratio) 식각이 재정의되면서 칩 제조업체들은 3D NAND 및 DRAM 로드맵을 발전시킬 수 있게 됐다. ▲램리서치는 최신 유전체 식각(dielectric etch) 기술 Vantex를 전 세계에 동시 공개했다. 램리서치는 현재 출시된는 식각 플랫폼 중 지능면에서 가장 앞선 Sense.i에 맞게 설계된 최신 유전체 식각(dielectric etch) 기술 Vantex를 오늘 공개했다. 식각 기술 분야를 선도하는 램리서치의 기술력을 바탕으로 구축된 디자인 설계는 현재와 미래 세대의 NAND 및 D램 메모리 소자 성능은 물론 그 확장성까지 향상시킬 수 있게 됐다. 스마트폰, 그래픽 카드, 솔리드 스테이트(solid-state) 스토리지 드라이브 등에 사용되는 3D 메모리 소자를 만드는 칩 제조업체들은 소자의 높이 치수는 늘리고 가로 임계치수(critical dimension, CD)는 줄여 노드의 비트당 원가를 줄이기 위해 끊임없이 노력해왔다. 그 결과 3D NAND와 DRAM의 식각 종횡비가 새로운 차원에 도달하고 있다. Vantex의 챔버
- 서재창 기자
- 2021-01-29 10:37
산업동향 쫓기는 메모리반도체 1위 삼성전자…후발기업들 신기술 개발

[헬로티] SK하이닉스 'DDR5' 개발 성공하고 마이크론은 '176단 낸드' 양산 1위 삼성전자 "둘 다 내년 양산 차질없이 진행중"이라지만 속내 불편 SK의 인텔 낸드 인수로 메모리 지각변동 불가피…업계 "시장 지배는 투자와 품질" 글로벌 메모리 반도체 시장에서 선도기업들의 차세대 제품 기술력 다툼이 치열하게 전개되고 있다. D램과 낸드 플래시 1위인 삼성전자를 견제하며 후발 기업인 SK하이닉스와 미국의 마이크론이 무섭게 치고 나오는 형국이다. 12일 업계에 따르면 미국의 메모리 반도체 기업인 마이크론테크놀로지는 9일(현지시간) 세계 최초로 176단 낸드플래시 메모리 양산을 시작했다고 발표했다.' 사진. 미국 마이크론테크롤로지는 지난 9일(현지시간) 세계 최초로 176단 낸드플래시 메모리 양산을 시작했다고 발표했다. (출처: 연합뉴스) 낸드플래시는 기본 저장 단위인 '셀'을 수직으로 높이 쌓아 올리는 것이 기술력으로 마이크론이 개발한 176단 낸드는 삼성전자와 SK하이닉스가 현재 시판하고 있는 최고 사양의 128단 낸드보다 앞서는 기술이다. 마이크론은 보도자료에서 "176단 낸드는 경쟁사 대비 적층 수가 40%가량 높고, 이전 세대의 대용량
- 김진희 기자
- 2020-11-12 23:21
일반뉴스 코로나19 비켜라, 'K-반도체 한자리에'…2020 반도체대전 27∼30일 개최

[헬로티] 삼성전자·SK하이닉스 등 역대 최대 규모 참가 반도체 산업의 최신 기술 흐름을 볼 수 있는 전시 행사가 열린다. 한국반도체산업협회(회장 진교영)는 27일부터 30일까지 서울 강남 코엑스에서 '제22회 반도체 대전(SEDEX)'을 개최한다고 22일 밝혔다. 이번 행사에는 삼성전자와 SK하이닉스를 비롯해 반도체 소재, 부품, 장비, 설계, 설비기업 등 반도체 산업 생태계를 구성하는 218개 기업이 490개 부스로 참여한다. 역대 최대 규모다. 삼성전자는 5G 통신과 인공지능(AI), 빅데이터, 오토모티브(Automotive) 등 4대 솔루션을 중심으로 차세대 반도체 제품을 대거 선보일 예정이다. D램 최초로 EUV 공정을 적용한 역대 최대 용량의 512GB DDR5와 16GB LPDDR5 모바일 D램, 0.7μm(마이크로미터) 픽셀 기반 이미지센서 라인업 등을 전시한다. SK하이닉스는 '모든 데이터는 메모리로 통한다(All Data Lead to Memory)'라는 주제로 4차산업 혁명시대의 메모리 반도체의 위상과 중요성에 대해 소개한다. 또 지난 10월 세계 최초로 공개한 DDR5와 PCIe 4.0 규격의 최신 솔리드 스테이트 드라
- 김진희 기자
- 2020-10-23 16:26
산업동향 SK하이닉스, 국내 최대 규모 빅딜로 인텔 낸드 품었다...단숨에 2위

[헬로티] 취약했던 낸드 보완해 D램 의존도 낮춰…안정적인 사업구조 확보 낸드 점유율 20% 넘어 2위로 도약…인텔은 비메모리 분야 집중할 듯 SK하이닉스가 국내 인수합병(M&A) 사상 최대 규모인 10조3천억원을 투자해 인텔의 낸드 사업부를 인수하기로 하면서 글로벌 메모리 반도체 시장에도 적지 않은 지각 변동이 예상된다. SK하이닉스가 D램에 비해 상대적으로 취약했던 낸드플래시 부문의 시장 점유율을 높이면서 메모리 반도체 분야의 글로벌 1위인 삼성전자를 바짝 뒤쫓게 됐다. SK하이닉스는 이와 함께 메모리 분야에서 안정적인 사업 구조를 확보하게 되면서 반도체 시장의 가격 변동에도 능동적인 대응이 가능해질 전망이다.' 사진. SK하이닉스, 인텔 낸드사업 인수(출처: 연합뉴스) ◇ D램 이어 낸드도 글로벌 2위로 도약…사업변동폭 축소 기대 D램 부문 세계 2위 생산 기업인 SK하이닉스는 사업 비중이 올해 2분기 기준 D램이 72%에 달하는 반면 낸드는 24%에 그치는 등 다소 기형적인 사업 구조를 갖고 있었다. 이 때문에 D램 가격이 출렁일 때마다 회사의 수익도 들쑥날쑥해 사업의 변동성이 크다는 것이 최대 약점으로 지
- 김진희 기자
- 2020-10-20 16:23
일반뉴스 삼성전자, 평택 2라인에 낸드 메모리 생산라인 증설 ‘내년 하반기 양산 목표’

[헬로티] 삼성전자가 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축하는 투자를 단행한다. 삼성전자는 지난 5월 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며, 2021년 하반기 양산을 시작할 계획이다. 이번 투자는 AI, IoT 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드수요 확대에 대응하기 위해서다. ▲평택캠퍼스 P2 라인 전경 특히 최근 ‘언택트’ 라이프스타일 확산으로 이런 추세가 더욱 가속될 것으로 예상되는 가운데, 삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장 기회를 선점해 나간다는 전략이다. 지난 2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로서 세계 최대규모의 생산라인 2개가 건설됐다. 이번 투자로 증설된 라인에서는 삼성전자의 최첨단 V낸드 제품이 양산될 예정이다. 삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 18년 이상 독보적인 제조, 기술경쟁력으로 글로벌 시장 리더의 자리를 지키고 있으며 2019년 7월 업계 최초로 6세대(1xx단) V낸드 제품을 양산한 바 있다. 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 “이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차
- 이나리 기자
- 2020-06-01 13:50
산업동향 메모리 반도체 거래량, ‘코로나19’에도 끄떡없다

[첨단 헬로티] D램 가격 소폭 상승, 낸드 가격 유지 메모리 반도체 시장은 코로나19 바이러스의 확산에도 거래량이 감소하지 않고 정상 수준을 유지하고 있는 것으로 나타났다. 2월은 메모리 시장의 전통적인 비수기임에도 불구하고 D램은 가격이 상승했고, 낸드(NAND)는 가격이 유지됐다. 코로나19로 인해 PC와 스마트폰 출하 전망이 하향 조정되는 등 불리한 대외환경에도 불구하고, 2월 전체 PC용 D램 계약가격은 전월 대비 평균 1.3% 상승했고, 그 중 DDR4 8Gb 경우에는 2월 2.88달러를 기록하며 전월 대비 1.4% 올랐다(자료: 디램익스체인지). 이처럼 평균 가격 상승 이유는 공급 측면에서 D램 제조사의 재고수준 정상화로 공급 과잉 요인이 감소했고, 수요 측면에서는 하반기 가격 상승을 예상한 PC OEM의 재고 축적 때문으로 분석된다. 김경민 하나은행 반도체 애널리스트는 “메모리 칩과 모듈(조립품)의 출하 과정에서 물류 및 이송이 제한될 수도 있다는 우려에 따라 업계에서는 지금 재고를 확보하지 않으면 하반기 가격 상승 시 더욱 높은 가격에 구매하게 될 수도 있다는 전망이 확산됐다. 이를 대비해 D램 수요처들은 적극적으로 재고를 축적하고
- 이나리 기자
- 2020-02-28 13:50
일반뉴스 웨스턴디지털, 5G 스마트폰 위한 UFS 3.1 ‘iNAND MC EU521’ 출시

[첨단 헬로티] 웨스턴디지털이 새로운 임베디드 UFS(Universal Flash Storage) 디바이스 ‘웨스턴디지털 iNAND MC EU521(Western Digital iNAND MC EU521)’을 공개했다. 이번 신제품은 JEDEC에서 새롭게 발표한 차세대 업계 표준 UFS 3.1의 쓰기 부스터(Write Booster) 기술을 적용한 업계 최초 UFS 3.1 상업용 스토리지 솔루션으로 5G 애플리케이션에 최적화된 것이 특징이다. 모바일 개발자들은 이를 통해 5G 스마트폰의 사용자 환경을 개선할 수 있을 것으로 기대된다. 웨스턴디지털 iNAND MC EU521 임베디드 플래시 디바이스는 모바일 개발자들이 UFS 3.1 인터페이스의 높은 대역폭(Gear 4/2 레인)과 SLC(Single-Level Cell) 낸드 캐싱의 장점을 최대한 활용할 수 있도록 지원한다. 또한 최대 800MB/s 의 빠른 순차 쓰기 속도를 제공해 4K 및 8K 콘텐츠 다운로드, 클라우드로부터 대용량 파일 전송, 게임 등의 애플리케이션 사용 환경을 개선한다. 웨스턴디지털 iNAND MC EU521은 128GB 와 256GB 두 가지 용량으로 오는 3월
- 이나리 기자
- 2020-02-21 09:40
산업동향 2020년 26개 주요 IC 성장 예상 ‘반도체 업계 다시 일어서나’

[첨단 헬로티] - 33개 주요 IC 중에서 26개 IC 성장 전망 - 메모리 반도체 공급 과잉 문제 해결 지난해 전 세계적인 경기 불황과 더불어 미국과 중국간의 무역 전쟁, 메모리 반도체의 공급 과잉 등의 여러 가지 이슈로 인해 반도체 시장의 성장이 둔화했었다. 그러나 올해는 다시 성장세에 돌입할 수 있을 것으로 기대되고 있다. 반도체 시장조사기관 IC인사이츠는 주요 IC 33개 범주 중 무려 26개 부문의 판매율이 성장할 것으로 전망했다. 이는 2019년 단 6개 부문에서 성장세를 보인 것과 비교하면 무려 4배 이상 높은 수치다. 2019년에는 33개 주요 IC 중에서 낸드 플래시(NAND Flash)와 D램(DRAM)이 가장 낮은 성장률을 기록했었다. 그 이유는 D램이 하이퍼스케일(Hyperscale) 시장의 수요 급감으로 인해2018년말부터 2019년까지 과잉 공급이 지속됐고, 이는 과잉 재고로 이어지면서 가격이 인하됨으로써 평균판매단가(ASP)가 하락하는 현상이 있었다. 낸드 플래시 또한 2019년 상반기 수요 부진으로 매출이 하락한 바 있다. 그러나 2020년에는 낸드 플래시와 D램이 가장 빠르게 성장하는 3대 IC 범주에 속하게 될 것으로 예상된
- 이나리 기자
- 2020-01-28 16:13
일반뉴스 SK하이닉스, CTF 기반 96단 4D 낸드 개발 성공

[첨단 헬로티] SK하이닉스는 CTF(Charge Trap Flash)와 PUC(Peri Under Cell)를 결합한 4D 낸드(이하 ‘4D 낸드’) 구조의 96단 512Gbit(기가비트) TLC(Triple Level Cell) 낸드플래시 개발에 성공해 연내 초도 양산에 진입한다고 밝혔다. 이 제품은 512Gbit 낸드는 칩 하나로 64GByte(기가바이트)의 고용량 저장장치 구현이 가능한 고부가가치 제품이다. ◆ CTF와 PUC를 최초로 결합한 고유 기술의 96단 4D 낸드 개발 SK하이닉스 4D 낸드는 기존 일부 업체가 플로팅 게이트(Floating Gate) 셀(Cell) 구조에 PUC를 결합한 방식과 달리, SK하이닉스를 포함한 대부분 업체가 3D 낸드에 채용 중인 CTF 셀 구조와 PUC 기술을 결합한 점이 특징이다. SK하이닉스는 특성이 우수한 CTF 기반에서는 최초로 PUC를 도입해 업계 최고 수준(Best in Class)의 성능과 생산성을 동시에 구현한 차별성을 강조하기 위해 이 제품을 ‘CTF 기반 4D 낸드플래시’로 명명했다고 밝혔다. CTF 기술은 기존 2D 낸드에서 주로 채용했던 플로팅 게
- 이나리 기자
- 2018-11-05 16:42
일반뉴스 SK하이닉스, 20조 투자한 반도체 공장 M15 준공 “낸드 시장 확대”

[첨단 헬로티] SK하이닉스가 10월 4일(목) 충청북도 청주에서 신규 반도체 공장 M15 준공식을 개최했다. SK하이닉스는 이 공장에 기존 건설 투자를 포함, 약 20조 원 규모의 투자를 순차적으로 단행해 미래 수요에 선제적으로 대응한다는 방침이다. 장비입고 시기 등은 시장 상황에 따라 탄력적으로 결정한다. SK하이닉스는 이 공장에 기존 건설 투자를 포함, 약 20조 원 규모의 투자를 순차적으로 단행해 미래 수요에 선제적으로 대응한다는 방침이다. 장비입고 시기 등은 시장 상황에 따라 탄력적으로 결정한다. ▲SK하이닉스 M15 반도체 공장 준공식에는 문재인 대통령, 김동연 경제부총리, 성윤모 산업통상자원부장관, 이시종 충청북도지사, 한범덕 청주시장, 최태원 SK그룹 회장, 최재원 SK그룹 수석부회장 등이 참석했다. “함께 여는 미래, 새로운 도전” 이라는 주제로 열린 이 날 행사에는 문재인 대통령, 김동연 경제부총리, 성윤모 산업통상자원부장관, 이시종 충청북도지사, 한범덕 청주시장, 최태원 SK그룹 회장, 최재원 SK그룹 수석부회장, 조대식 SK수펙스추구협의회 의장, 박성욱 SK하이닉스 대표이사, 협력사 및 지역 대표 등 약 450명이
- 이나리 기자
- 2018-10-04 14:37

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# 낸드

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