[첨단 헬로티] ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 다양한 기능을 갖춘 단일 채널 갈바닉(Galvanic) 절연 게이트 드라이버인 STGAP2S를 출시했다. 이 디바이스는 26V의 최대 게이트-드라이브 출력 전압과 옵션으로 제공되는 개별 턴온/턴오프 출력 또는 통합 액티브 밀러 클램프(Miller Clamp)를 통해 다양한 스위칭 토폴로지에서 SiC(Silicon-Carbide)나 실리콘 MOSFET 및 IGBT를 제어할 수 있다. STGAP2SCM은 전용 액티브 밀러 클램프 핀을 갖추고 있으며, 이는 하프 브리지 구성에서 원치 않는 트랜지스터 턴온을 방지하는 편리한 솔루션을 제공한다. 이 핀에 MOSFET 게이트를 연결하면, 다음 순서로 올바른 턴온 신호가 발생할 때까지 전압을 클램핑하여 턴오프로 접지 절연을 실행한다. 개별 턴온 및 턴오프 출력을 갖춘 STGAP2SM은 두 개의 외부 게이트 저항을 사용하여 스위칭 전이를 최적화하게 해준다. 모든 STGAP2S 게이트 드라이버는 4A 레일-투-레일(Rail-to-Rail) 출력을 제공하므로, 고전력 인버터의 경우에도 명확하고 효율적인 스위칭이 가능하다. 또한, SiC 디
[헬로티] TI(대표 켄트 전)는 5.7kVRMS의 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버 UCC21520을 출시했다. 새로운 게이트 드라이버 제품군의 첫 번째 제품이다. TI에 따르면, UCC21520은 유연하면서도 보편적인 호환성을 제공해 로우사이드, 하이사이드, 하이사이드/로우사이드 또는 하프 브릿지 전원 관리 설계에 절연 드라이버로 사용이 가능하다. 또한 TI의 통합 부품, 첨단 보호 기능 및 최적화된 스위칭 성능을 제공해 기업용, 통신, 오토모티브 및 산업용 애플리케이션을 위한 보다 작고 견고한 설계가 가능하다. UCC21520은 시스템 보호와 신뢰성이 중요시되는 고전압 애플리케이션을 위해 설계됐고, 5.7kVRMS의 강화된 절연 성능과 최대 12.8kV에 이르는 서지 내성, 100V/ns 이상의 동상 모드 과도응답 내성(common-mode transient immunity)을 제공한다. 뿐만 아니라 회사 측은 업계에서 가장 빠른 19ns의 전달 지연과 5ns 미만의 엄격한 채널간 지연 매칭을 제공함으로써 높은 전력 밀도 및 효율을 달성하며, 작은 솔루션 크기와 높은 신뢰성으로 완제품의 수명을 연장한다고 설명했다. TI가 강조하는 UCC21520의 주요