[헬로티] 카이스트 물리학과 조용훈 교수 연구팀이 LED에 널리 사용되는 질소화합물 반도체를 이용해 대칭성이 매우 높은 삼각형 형태의 양자점(퀀텀닷)을 형성하고 제어하는 데 성공, 광자들 사이에 얽힘을 발생시키는 차세대 양자광원 개발에 핵심적인 양자점 제어 기술을 갖추게 됐다고 밝혔다. ▲출처 : 게티이미지뱅크 자기제한적 성장메커니즘을 적용한 제어 기술 ‘얽힘(entanglement)’은 입자들이 쌍으로 상관관계를 가져 거리에 상관없이 얽혀 있는 쌍의 한쪽 특성을 측정하면 나머지 한쪽의 특성을 즉시 알게 되는 현상이다. 전문가들은 얽힘이라는 양자역학적인 현상을 활용하면 양자통신과 양자컴퓨팅과 같은 양자정보에 필요한 기술 개발과 함께 물리학적으로 새로운 주제들이 개척될 것으로 기대하고 있다. 반도체 양자점(Quantum Dot)은 원하는 순간에 광자를 한 개씩 방출하는 대표적인 고체 기반의 양자광 방출 소자로써 널리 연구되고 있다. 특히, 반도체 양자점의 대칭성을 제어해 양자점 내부의 미세 에너지 구조를 정교하게 조절할 수 있다면, 두 개의 광자를 양자얽힘 상태로 만드는 편광얽힘 광자쌍 방출이 원리적으로 가능하므로 이를 이용한 양자통신 및
[헬로티] 2차원 반도체 물질을 빛만으로 도핑할 수 있게 됐다. 기초과학연구원 원자제어 저차원 전자계 연구단 조문호 부연구단장 연구팀은 2차원 반도체 물질을 서로 다른 파장의 빛을 이용해 도핑할 수 있음을 발견하고, 실시간 및 자유자재로 반도체 기능을 바꿀 수 있는 원자층 집적회로 소자를 구현했다. ▲출처 : 게티이미지뱅크 빛과 물질의 광화학반응으로 탄생하다 이 연구는 빛이 일으키는 결함을 역이용해 n형과 p형 도핑 모두를 가장 간편하게 구현한 연구다. 2차원 반도체는 기존 실리콘 반도체와 특성이 전혀 다르다. 얇고 유연한 전자기기, 극초소형 컴퓨터 등을 구현할 차세대 반도체 물질로 주목받고 있다. 그러나 상용화를 위해서는 실리콘 반도체처럼 내부 불순물 종류와 농도를 자유롭게 조절할 수 있어야 한다. 반도체는 도핑하는 불순물 따라 전자가 많은 n형과 양공이 많은 p형으로 나뉘는데, n형과 p형을 접합시켜야 트랜지스터가 돼 비로소 단일 집적 회로를 구현할 수 있다. 기존에는 표면에 화합물을 도포하거나 물질 합성 단계에서 도핑하는 것이 일반적이었다. 그러나 n, p형 도핑에 각각 다른 처리가 필요하고 도핑 후에는 성질을 바꿀 수 없다는 한계가 있었다. 연구진은
[헬로티] ACM 리서치는 자사의 울트라 Fn 퍼니스(Ultra Fn Furnace) 장비가 전력반도체(power device) 칩 제조 공정에서 합금 어닐링(alloy anneal) 기능을 지원한다고 밝혔다. ▲Ultra Fn 퍼니스 장비 이 새로운 기능은 트랜지스터가 점점 더 소형화 박형화하고, 처리 속도가 빨라짐에 따라 절연 게이트 양극형 트랜지스터(IGBT) 제품 생산 시 계속해서 늘어나는 다양한 요구사항을 충족할 것으로 기대된다. 시장조사회사인 모도 인텔리전스(Mordor Intelligence)는 "2019년 약 5.4억 달러의 시장 규모를 형성한 IGBT 시장은 연평균 9.66%의 성장률을 기록하며 2025년에는 약 9.38억 달러 규모로 늘어날 것으로 예상된다"고 밝혔다. 이어 IGBT제품이 쿠커, 전자 레인지, 전기 자동차(EV), 열차, 가변 주파수 드라이브(VFD), 가변속 냉장고, 에어컨, 램프 안정기, 지역 송전 시스템 및 스테레오 시스템 등 다양한 분야에 광범위하게 사용됨에 따라 최근 많은 기업들이 IGBT 제조 시장에 신규 진출한 상태라고 덧붙였다. 반도체 기술의 진화와 함께, IGBT 제조 관련 요구사항도 계속 늘어나고 있다. 특