[첨단 헬로티]

26일, KLA는 집적회로(‘IC’ 또는 ‘칩’) 제조를 위한 Archer™ 750 이미징 기반 오버레이 계측 시스템과 SpectraShape™ 11k 광학 임계치수(Critical Dimension, ‘CD’)를 선보였다.

▲ KLA Archer 750 and SpectraShape 11k

Archer 750은 칩의 각 레이어가 구성됨에 따라 패턴 형상이 이전 층의 형상과 제대로 정렬이 되는지 검증하며 SpectraShape 11k는 트랜지스터와 메모리 셀 등의 3D 구조를 모니터링하여 스펙이 유지되도록 한다. 해당 신규 계측 시스템은 패턴 정렬 또는 형상의 섬세한 차이를 파악하여 IC 제조업체들이 5G, AI, 데이터 센터 및 엣지 컴퓨팅 등의 애플리케이션에서 사용되는 고성능 메모리 및 로직 칩을 시장에 출시함에 있어 요구되는 복잡한 공정을 엄격하게 제어한다.

KLA의 계측 부서의 존 매드슨(Jon Madsen) Sr.VP/GM은 “첨단 칩에 새로운 구조와 신규 물질이 접목되면서 IC 업체들은 원자 단위에서 측정해야 하는 공정 허용 범위에 직면해 있다”면서 “KLA는 이러한 칩을 고품질 표준으로 비용 효율적으로 생산되도록 하는 데 있어 중요한 역할을 한다. 오늘 당사의 포트폴리오에 추가되는 2개의 계측 솔루션을 발표하게 되어 영광이다. 이는 다양한 팀에서 근무하는 최고의 엔지니어 및 과학자들의 노력과 창의적인 사고의 결실이다. 새로운 SpectraShape 11k와 Archer 750 시스템은 Fab 고객들이 필요로 하는 공정 제어 역량을 제공하며 고객들이 세계를 발전시킬 수 있는 혁신적인 전자제품을 생산하도록 지원한다.”고 말했다.

Archer 750 오버레이 계측 시스템은 공정 변동이 존재하는 상황에서 오버레이 오류를 정확하고 견고하게 측정함과 동시에 이전에는 산란계측(scatterometry-based) 기반의 오버레이 시스템에서만 가능했던 생산성 수준을 달성한다. 이 혁신적인 시스템은 다양한 층에서 신속하고 정확한 피드백을 제공하여 사진 식각 엔지니어들이 첨단 로직, DRAM 및 3D NAND 소자의 안정적인 생산과 빠른 수율 개선을 실현하도록 인라인에서 공정 이탈점을 파악하고 전반적인 패터닝 완성도를 향상시키는 작업을 지원한다.

SpectraShape 11k CD 및 차원 형상 계측 시스템은 감도와 생산성을 유례없는 수준으로 조합해서 이전에는 접근 불가능했던 웨이퍼 형상, 구조 및 소재를 지원한다. 첨단 로직, DRAM 및 3D NAND 소자 형상을 고정밀도와 높은 속도로 측정할 수 있는 역량을 보유한 SpectraShape 11k는공정 문제를 빠르게 파악하고 생산 가동 중 공정을 엄격히 모니터링을 가능하게 한다.

성능을 개선해주는 신규 계측 시스템 및 기술 개발에 대한 세부 사항은 포트폴리오 정보 페이지에서 볼 수 있다.

Archer 750와SpectraShape 11k 시스템은 세계적인 선도 IC 제조업체의 인증을 거쳐 가동 중이며 혁신적인 전자 소자를 생산하는 다수의 공정 단계에서 중대한 영향을 미칠 수 있는 피드백을 제공한다. Archer 750와 SpectraShape 11k는 실시간 공정 제어와 엔지니어링 모니터링 분석을 지원하는 KLA의 5D Analyzer® 첨단 데이터 분석 시스템과 결합해서 사용된다. Archer 750 와 SpectraShape 11k 계측 시스템은 칩 제조업체들이 요구하는 높은 수준의 성능과 생산성을 유지하기 위해 KLA의 글로벌 종합 서비스 네트워크를 활용하고 있다.