[첨단 헬로티]

ST가 SiC(Silicon-Carbide) 기술의 스위칭 효율, 빠른 회복력, 일관된 온도 특성을 활용해 애플리케이션을 보다 폭넓게 구현할 수 있는 2A~40A의 1200V SiC JBS(Junction Barrier Schottky) 다이오드를 출시했다.

ST에 따르면 SiC 다이오드 제조 공정은 높은 수준의 순방향 전압(최저 VF)을 갖춘 견고한 디바이스를 구현할 수 있다. 이에 따라 더 낮은 전류 정격의 다이오드를 이용해 높은 효율 및 신뢰성을 달성하고 결과적으로는 비용 절감의 효과를 누릴 수 있다. 태양광 인버터, 산업용 모터 드라이브, 가전, 전원 어댑터처럼 비용에 민감한 애플리케이션에서도 SiC 기술의 적용 가능성을 높일 수 있는 요소가 될 것이라고 회사측은 설명했다.

▲ST의 1200V SiC 다이오드 제품군

성능 중심의 애플리케이션도 ST 신제품을 사용하면 이러한 장점들을 확장할 수 있다. 낮은 순방향 전압 강하(VF)를 통해 제공되는 높은 효율 마진은 OBC(On-Board Battery Charger) 및 PHE/EV(Plug-In Hybrid or Electric Vehicles)용 충전소와 같은 자동차 장비에도 이점을 제공한다. 전반적으로 견고한 전기적 성능을 제공함으로써 통신 및 서버 전원공급 장치, 고전력 산업용 SMPS(Switched-Mode Power Supplies) 및 모터 드라이브, UPS(Uninterrubtible Power Supplies), 대형 태양광 인버터에도 부합할 수 있다.

SiC 효율을 극대화하는 것 말고도 최저 VF를 달성함으로써 동작온도를 낮추고 애플리케이션 수명을 연장할 수 있다는 장점도 있다. ST 제조 공정으로 데이터시트에 보장된 VF를 더 낮게 유지할 수 있어 OEM 업체들은 회로를 대량으로 구현할 때 탁월한 재현성을 보장할 수 있다고 ST는 강조했다.

ST의 1200V SiC 다이오드 제품군은 표면실장형 DPAK HV(High-Voltage) 및  D²PAK 또는 쓰루홀 TO-220AC 및 TO-247LL(Long-Lead) 패키지 기반의 자동차-인증 디바이스를 비롯해 2A에서 40A에 이르는 전류정격을 지원한다.