[첨단 헬로티]

인피니언 테크놀로지스는 새로운 로직 레벨 IR MOSFET™ 제품군을 출시했다.

60V, 80V, 100V의 3가지 전압대의 이들 제품은 2mm×2mm PQFN 패키지로 제공되므로 크기가 중요한 무선 충전, 어댑터, 텔레콤 애플리케이션에 적합하다. 소형 패키지로 더 높은 전력 밀도와 향상된 효율을 달성해, 공간을 절약하고 부품 수를 줄이며 전체적인 시스템 비용을 낮춘다.

PQFN 패키지로 제공되는 새로운 IR MOSFET 제품은 경쟁 제품 대비 11%부터 40%까지 더 낮은 RDS(on)을 제공한다. 극히 낮은 게이트 전하(Qg)는 전도 손실을 높이지 않으면서 스위칭 손실을 낮춘다.

또한 출력 커패시턴스(COSS)와 역 복구 전하(Qrr)가 최적화되었으며 FOMg(RDS(on)×Qg/gd)이 향상되었다. 따라서 IR MOSFET 제품은 공진 무선 충전 애플리케이션에 요구되는 최대 6.78MHz의 높은 스위칭 주파수로 동작할 수 있다.

그리고 로직 레벨 게이트 구동은 게이트 임계 전압(VGS(th))이 낮기 때문에 MOSFET을 5V로 구동할 수 있어 마이크로컨트롤러로 직접 구동할 수 있다.

김희성 기자 (npnted@hellot.net)