[헬로티]

후지쯔가 차세대 비휘말성 메모리 반도체로 주목받고 있는 F램을 개발했다. F램을 앞세워 후지쯔는 자동차 및 까다로운 산업용 애플리케이션용 반도체 시장을 정조준하는 모습이다.

회사측에 따르면 후지쯔 일렉트로닉스 유럽이 개발한 F램 'MB85RS256TY'는 256킬로비트 속도에 SPI 인터페이스를 갖췄다. 

1.8~3.6V까지의 전압을 지원하며 마이너스 40도에서 125도까지의 온도에서 작동될 수 있다. 그런만큼, 자동차 환경은 물론 산업용 애플리케이션에서도 적합하다고 한다.

에어백 데이터 스토리지, 이벤트 데이터 레코더, 배터리 관리 시스템, ADAS(automatic driving assistance systems), 내비게이션 및 인포테인먼트 시스템과 같은 애플리케이션에서 유용하게 쓰일 수 있는 것으로 알려졌다.

F램은 낸드, 노어 플래시 메모리처럼 전원이 끊겨도 데이터를 보존할 수 있는 비휘발성 메모리다. 휘발성 메모리인 D램이나 S램은 전원이 없으면 저장된 데이터도 사라진다.

전자 통제 시스템에 대한 수요가 늘면서 고성능 비활성 메모리에 대한 수요도 점점 증가하는 추세다. 속도가 빠르고 전력 소모량은 적은 F램도 사물인터넷(IoT)에 대한 관심이 커지면서 주가가 상승하는 모습이다.

후지쯔 F램 개발 샘플은 현재 이용 가능하다. 자동차용 반도체 신뢰성 시험 규격인 `AEC-Q100' 인증은 2017년 7월께 완료될 예정이다.

/황치규 기자(delight@hellot.net)